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NTGS4111PT1G中文资料

NTGS4111PT1G图片

NTGS4111PT1G外观图

  • 大小:71.4KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: P CHANNEL MOSFET, -30V, 4.7A, TSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 3.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:32nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:750pF @ 15V
  • 功率 - 最大:630mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装:6-TSOP
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTGS4111PT1GOSTR

NTGS4111PT1G供应商

更新时间:2023-01-27 22:05:25
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